铪化合物由于具有很高的熔点， 强的高能射线吸收能力， 高介电常数等优点， 因此在高温、 电子和光学领域的应用日益增多。 作为这些应用的前提， 大多需要高致密度的块体精细陶瓷材料。 因此制备铪化合物或含铪化合物的精细陶瓷， 是近年的、新材料研究热点之一。 和制备其他精细陶瓷相近，为了获得高致密度的铪化合物精细陶瓷， 必须从粉体、 烧结和后处理着手， 而粉体制备是关键因素。HfO2溅射薄膜由于具有高介电常数、 高介电强度、 低介电损耗、 低漏电流及良好的电容 - 电压特性、良好的稳定性以及能与基体硅的牢固结合等优点，被认为是最有前途的新型绝缘介质膜之一 。HfB2 由于具有高达 3 380 ℃的熔点， 因此过去常被用于高温氧化环境中的抗烧蚀材料。 在随后的研究中， SiC 作为添加剂被加入到HfB2 陶瓷中以增加其抗氧化性能。HfC 具有非常高的熔点（3 890 ℃）。 理论上， 采用 HfC 材料制备的部件可以用来熔融铼 - 钨合金这样的难熔合金。 因此， HfC 可以作为高温结构材料在航天领域有所应用。 Y2O3， Lu2O3 与 HfO2 可以形成立方相的固溶体， 这类固溶体具有高密度、 高的有效原子系数等优点， 这些特性使得它们对 X 射线具有很强的吸收系数， 因此它们应用于闪烁领域方面具有优势。
为了适应这种发展趋势，以下研究方向得到了越来越多的重视
（1） 高纯、 高烧结活性的铪化合物粉体制备技术
（2） 铪化合物晶须和纤维的制备和性能研究
（3） 铪化合物作为超高温陶瓷的应用
（4） 铪化合物作为光学陶瓷材料的应用
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